Инвентарный номер: нет.        Е 83     Есина, Н. О.     Эпитаксиальный рост рения на собственных и чужеродных подложках [Текст] / Н. О. Есина, Л. М. Минченко, А. А. Панкратов // Электрохимия. - 2008. - Т. 44, № 6. - С. 738-744 : фото. - Библиогр.: с. 744 (10 назв.) . - ISSN 0424-8570ББК 54 Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ЭЛЕКТРООСАЖДЕНИЕ -- РАСПЛАВ -- РЕНИЙ -- ВОЛЬФРАМ -- СТРУКТУРА -- ЭПИТАКСИЯ -- МОНОКРИСТАЛЛ Аннотация: Изучен эпитаксиальный рост рения, электроосажденного из хлоридного расплава CsCl-Cs2ReCl6 на монокристаллические подложки из рения с ориентациями (1010), (1120), (0001) и вольфрама с ориентациями (110),(100), (112), (111). Найдены оптимальные условия эпитаксиального роста на монокристалле рения с ориентациями (0001) и (1120). Показана принципиальная возможность гетероэпитаксиального роста рения на монокристаллических подложках из вольфрама с ориентациями (111) и (100) при определенных условиях электроосаждения из расплава. Эпитаксиальный рост рения зависит как от условий электролиза , так иот ориентации подложки. Исследована морфология поверхности осадков рения. Измерена микротвердость монокристаллических и поликристаллических слоев рения с ориентацией (0001)