Вид документа : Статья из журнала Шифр издания : Автор(ы) : Исаев В. А., Чеботин В. Н. Заглавие : О соотношении объемной и поверхностной диффузии при росте зародышей кристаллов Место публикации : Тр. / Ин-т электрохимии УНЦ АН СССР. - Свердловск, 1978. - Вып. 27: Ионные расплавы и твердые электролиты. - С. 46-51 Примечания : Библиогр.: 4 назв. ББК : 54 Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): диффузия поверхностная--диффузия объемная--зародышеобразование кристаллов--электроосаждение Аннотация: Рассмотрены два механизма роста сверхкритического зародыша при электроосаждении из расплава: 1. объемная диффузия непосредственно из расплава; 2. поверхностная диффузия по подложке. Получены соответствующие величины тока, идущего на рост зародыша. Выведены соотношения объемного и поверхностного токов при незаторможенной и сильно заторможенной стадии перехода. Оценено соотношение объемного и поверхностного тока для роста зародыша из расплава в зависимости от радиуса зародыша и параметров электроосаждения. Показано преобладание объемной диффузии над поверхностной при росте сверхкритического зародыша Доп.точки доступа: Чеботин, В. Н.; Институт высокотемпературной электрохимии УрО РАН |