Вид документа : Статья из журнала Шифр издания : Автор(ы) : Плаксин С. В., Барабошкин А. Н. Заглавие : Структура эпитаксиальных осадков вольфрама, полученных электролизом вольфраматного расплава Место публикации : Электродные процессы в галогенидных и оксидных электролитах: (Высокотемпературная электрохимия): Сб. ст. / УНЦ АН СССР. - Свердловск, 1981. - С. 22-27 Примечания : Библиогр.: 5 назв. ББК : 54 Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): структура эпитаксиальных осадков--осадки эпитаксиальные--вольфрам--w--осадки--расплав вольфраматный--электролиз расплавов--na--na2wo4--wo3--0.8na2wo4-0.2wo3--na2wo4-wo3--вольфрамат натрия--натрий--дефект кристаллический--подложка молибденовая--молибден--mo Аннотация: Электролизом расплава 0.8Na2WO4-0.2WO3 при температурах 850-950 С на монокристаллических подложках из молибдена с ориентациями (100), (110), (111), (112) при катодных плоскостях тока 10-100 мА/см2 получены эпитаксиальные монокристаллические слои вольфрама толщиной до 500 мкм. Морфология поверхности осадков изменяется с условиями электролиза. Наблюдаются два основных типа дефектов роста: ямки, форма которых отражает симметрию грани, и пирамиды, форма которых не отвечает симметрии грани, хотя их взаимное расположение и отвечает этой симметрии Доп.точки доступа: Барабошкин, А. Н.; Институт высокотемпературной электрохимии УрО РАН