Вид документа : Статья из журнала Шифр издания : 54/В 64 Автор(ы) : Куртеева А. А., Богданович Н. М., Бронин Д. И., Поротникова Н. М., Вдовин Г. К., Панкратов А. А., Береснев С. М., Кузьмина Л. А. Заглавие : Возможности регулирования микроструктуры и электропроводности несущих катодных подложек из La(Sr)MnO3 Место публикации : Электрохимия. - 2010. - Т. 46, № 7. - С. 864-872. - ISSN 0424-8570. - ISSN 0424-8570 Примечания : Библиогр.: с. 872 (16 назв.) ББК : 54 Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ Аннотация: Для снижения омических потерь в твердооксидных топливных элементах (ТОТЭ) их электроды должны обладать высокой электропроводностью, а для обеспечения высокой скорости диффузии газов – достаточной пористостью. В тех случаях, когда электроды ТОТЭ являются несущими, они должны изготавливаться при температуре выше, чем температура формирования на них твердоэлектролитного покрытия. При этом создание несущих электродов с необходимой микроструктурой представляет известную сложность. В настоящей работе изучено влияние способа изготовления исходных порошков La0.6Sr0.4MnO3 (LSM), их дисперсности, введения в них спекающих микродобавок и порообразователя на микроструктуру, электропроводность и возможность регулирования температуры формирования катодных подложек ТОТЭ, при которой достигаются необходимые характеристики. Показано, что спекание несущих катодных подложек до относительной плотности 65–70% можно производить при температурах от 1050 до 1350–1400°С, что позволит получать на таких подложках электролитные пленки из порошков с различной способностью к спеканию. Средний размер пор катодных подложек удается изменять в диапазоне от 0.4 до 2.5 мкм за счет использования исходного порошка LSM с различной дисперсностью и путем использования в качестве порообразователя графита. При 900°С электропроводность катодных подложек из LSM возрастает с увеличением их относительной плотности от 50 до 70% примерно от 50 до 100 См/см и слабо зависит от дисперсности исходных порошков Держатели документа: Центральная научная библиотека УрО РАН Доп.точки доступа: Куртеева, А. А.; Богданович, Н. М.; Институт высокотемпературной электрохимии УрО РАН; Бронин, Д. И.; Поротникова, Н. М.; Вдовин, Г. К.; Панкратов, А. А.; Береснев, С. М.; Кузьмина, Л. А.