К 78 Красильников, В. Н. Получение пленок LaCu1-xNixO2.5+дельта с высокотемпературным резистивным переходом металл-полупроводник [] = Preparation of Thick LaCu1-xNiyO2.5+delta Films Exhibiting a High-Temperature Metal Semiconductor Transition / В. Н. Красильников, Г. В. Базуев // Неорганические материалы. - 2002. - Т. 38, N 10. - С. 1242-1247: граф. - Библиогр.: с. 1247 (12 назв.) . - ISSN 0002-337X Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ПЛЕНКИ -- РЕЗИСТИВНЫЕ ПЕРЕХОДЫ -- ПЕРЕХОДЫ РЕЗИСТИВНЫЕ -- МЕТАЛЛЫ -- ПОЛУПРОВОДНИКИ -- ТОЛСТОПЛЕНОЧНЫЕ ПОКРЫТИЯ -- ПОКРЫТИЯ ТОЛСТОПЛЕНОЧНЫЕ -- ТЕРМООБРАБОТКА -- СЛОЖНЫЕ ОКСИДЫ -- ОКСИДЫ СЛОЖНЫЕ -- ОКСИД МЕДИ -- ОКСОКУПРАТЫ -- ОКСИД МАГНИЯ -- СУЛЬФАТ БАРИЯ -- КЕРАМИКА -- MgO -- CuO -- BaSO4 Аннотация: Изучены условия формирования толстопленочных покрытий LaCu1-xNixO2.5+дельта на различных подложках. Рассмотрено влияние параметров термообработки, типа подложки и жидкостногоорганического связующего на состав, структуру и свойства наносимого материала. Получены однофазные покрытия на подложках из MgO, ZrO2, BaSO4 и Ni толщиной от 50 до 200 мкм, сохранившие важнейшие свойства массивных образцов состава LaCu1-xNixO2.5+дельта и характеризующиеся резистивным переходом типа металл-полупроводник при температуре приблизительно 500 C |