О-49 Окатов, С. В. Моделирование электронных свойств и атомного упорядочения в системе бета-Si3N4-Mg-O [] / С. В. Окатов, А. Л. Ивановский // Огнеупоры и техническая керамика. - 2002. - N 11. - С. 26-33. - Библиогр.: с. 33 (16 назв.) . - ISSN 0369-7290 Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): МОДЕЛИРОВАНИЕ ЭЛЕКТРОННОГО СТРОЕНИЯ -- СВОЙСТВА ЭЛЕКТРОННЫЕ -- ЭЛЕКТРОННЫЕ СВОЙСТВА -- АТОМНОЕ УПОРЯДОЧЕНИЕ -- УПОРЯДОЧЕНИЕ АТОМНОЕ -- БЕТА-СИАЛОНЫ -- ЭЛЕКТРОННАЯ СТРУКТУРА -- СТРУКТУРА ЭЛЕКТРОННАЯ -- РАСТВОРЫ ТВЕРДЫЕ -- ТВЕРДЫЕ РАСТВОРЫ -- ЛЕГИРОВАНИЕ -- СОЕДИНЕНИЯ ТУГОПЛАВКИЕ -- ТУГОПЛАВКИЕ СОЕДИНЕНИЯ -- МЕЖАТОМНЫЕ СВЯЗИ -- СВЯЗИ МЕЖАТОМНЫЕ -- КЕРАМИЧЕСКИЕ МАТЕРИАЛЫ -- МАТЕРИАЛЫ КЕРАМИЧЕСКИЕ Аннотация: Зонным методом сильной связи проведено моделирование электронной структуры, межатомных связей, химического состава и атомного упорядочения в твердых растворах Si6-xMgxO2xN8-2x системы бета-Si3N4-Mg-O, а также более сложных по составу твердых растворов (ТР) Si6-xMgxOxN8-2xXx (X = S, Se) и Si6-xMgx/2Mx/2OxN8-x (M = C, Si, Ti, Ge, Zr, Sn, Pb). Показано, что стабилизация твердых растворов Si6-xMgxO2xN8-2x может быть достигнута в присутствии S, Se или Zr. Выполнено исследование эффектов атомного упорядочения, установлено, что в данных ТР атомы Mg и O могут образовывать квазиодномерные структуры (примесные каналы), подобные предсказанными авторами для бета-сиалонов |