К 82 Кристалло- и фазообразование в системах C-Si и C-Si-Me [] / Е. А. Беленков, В. А. Тюменцев, С. А. Подкопаев, Г. П. Швейкин, Ш. Ш. Ягафаров // Вестник Челябинского университета. Сер. 6. - 1998. - N 1. - С. 120-131 Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): КРИСТАЛЛООБРАЗОВАНИЕ -- ФАЗООБРАЗОВАНИЕ -- СИСТЕМЫ ДВОЙНЫЕ -- ДВОЙНЫЕ СИСТЕМЫ -- СИСТЕМЫ ТРОЙНЫЕ -- ТРОЙНЫЕ СИСТЕМЫ -- C-Si -- C-Si-Me -- C -- Si -- УГЛЕРОД -- КРЕМНИЙ -- МЕТАЛЛЫ -- Cu -- КРИСТАЛЛЫ -- Al -- МЕДЬ -- АЛЮМИНИЙ -- КАРБИД КРЕМНИЯ -- ДОБАВКИ -- ЛЕГИРОВАНИЕ Аннотация: Рассмотрено формирование кристаллов новой фазы в системе углерод-кремний, влияние на этот процесс примесей Cu и Al. Установлено, что уже в первые секунды взаимодействия расплава с углеродом средние размеры кристаллов карбида кремния достигают 50 нм. Добавка меди в расплав тормозит рост кристаллов SiC. В присутствии добавки алюминия процесс кристаллообразования развивается более активно. Пространственная неоднородность композита обусловлена обогащением расплава легирующей добавкой в зоне реакции |