О-75 Особенности стационарной имплантации кристаллического кремния молекулярным кислородно-азотным пучком: рентгеновские Si L2,3-эмиссионные спектры / Д. А. Зацепин, И. Р. Шеин, Э. З. Курмаев, В. М. Черкашенко, С. Н. Шамин, Н. А. Скориков, A. D. Yadav, S. K. Dubey // Физика твердого тела. - 2008. - Т. 50, № 1. - С. 142-147 : граф. - Библиогр.: с. 147 (26 назв.) . - ISSN 0367-3294 Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): КРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ КРЕМНИЙ -- РЕНТГЕНОВСКИЕ ЭМИССИОННЫЕ СПЕКТРЫ Аннотация: Представлены результаты исследования локальной электронной структуры монокристаллических образцов кремния < 111> с проводимостью n-типа методом рентгеновской Si L2,3-эмиссионной спектроскопии. Образцы имплантировались ионизированным молекулярным пучком 16O+2 и 14N+2 (соотношение кислород--азот в молекулярном пучке 1 : 1, энергия имплантации 30 keV, дозы облучения от 2· 1017 до 1.5· 1018 cm-2, термический быстрый отжиг (rapid thermal annealing) образцов в азотной атмосфере после имплантации при 800oC в течение 5 min ) для формирования системы SixOyNz. Сравнение зарегистрированных Si L-спектров со спектрами эталонов позволило установить четкие корреляции между особенностями электронной структуры оксинитрида кремния, сформированного в результате имплантации, и дозами облучения. Показано, что при дозах имплантации 2· 1017 и 1· 1018 cm-2 преимущественно формируется Si3N4, в то время как при дозе 1.5· 1018 cm-2, в основном происходит образование слоев SiO2 в монокристаллическом кремнии. Обсуждаются наиболее вероятные причины и механизмы особенностей такого внедрения 16O+2 и 14N+2 в исследованные образцы. Полученные экспериментальные данные сравниваются с ab initio расчетами зонной структуры, выполненными методом FLAPW |