Ю 85 Юрьева, Э. И. Влияние примесей Ti, V, Ni на электронную структуру и химическую связь в кубическом карбиде кремния [] = Influence of the Ti, V, Ni impurities on the cubic SiC electronic structure and chemical bonding / Э. И. Юрьева, А. Л. Ивановский // Журнал структурной химии. - 2002. - Т. 43, N 2. - 220-225: табл. - Библиогр.: с. 224-225 (14 назв.) . - ISSN 0136-7463 Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ПРИМЕСИ -- ЭЛЕКТРОННАЯ СТРУКТУРА -- СТРУКТУРА ЭЛЕКТРОННАЯ -- ХИМИЧЕСКИЕ СВЯЗИ -- СВЯЗИ ХИМИЧЕСКИЕ -- КАРБИД КРЕМНИЯ -- КУБИЧЕСКИЕ КАРБИДЫ -- КАРБИДЫ КУБИЧЕСКИЕ -- Ti -- V -- Ni -- ТИТАН -- ВАНАДИЙ -- НИКЕЛЬ -- МЕТОД ДИСКРЕТНОГО ВАРЬИРОВАНИЯ -- КРИСТАЛЛЫ Аннотация: Неэмпирическим методом дискретного варьирования исследованы электронное строение и параметры химической связи в 3C-SiC с примесями Ti, V и Ni, которые обсуждаются в зависимости от возможных положений примеси (М) в кристалле. В качестве последних рассмотрены позиции внедренияM(i), замещения M(s), а также проведено моделирование более сложных парных типов дефектов M(i) - Si-вакансия и M(s) - Si(i) |