Вид документа : Статья из журнала Шифр издания : 54/Ю 85 Автор(ы) : Юрьева Э. И., Ивановский А. Л. Заглавие : Электронная структура примесей 3d-металлов в оксинитриде кремния Параллельн. заглавия :Electronic structure of 3d-transition impurities in the silicon oxynitride Место публикации : Журнал структурной химии. - 2001. - Т. 42, N 2. - С. 203-209: табл. - ISSN 0136-7463. - ISSN 0136-7463 Примечания : Библиогр.: с. 209 (27 назв.) ББК : 54 Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ Аннотация: Самосогласованным неэмпирическим методом дискретного варьирования изучены электронное строение и природа химической связи в орторомбическом Si2N2O с примесями замещения по катионной подрешетке, в качестве которых рассмотрены все 3d-атомы. Обсуждены закономерности изменения энергетической структуры, параметров межатомных взаимодействий, эффективных атомных зарядов и локальных моментов 3d-примесей замещения в исследованном ряду систем Доп.точки доступа: Ивановский, А. Л.