Вид документа : Статья из журнала Шифр издания : 54/К 78 Автор(ы) : Красильников В. Н., Базуев Г. В. Заглавие : Получение пленок LaCu1-xNixO2.5+дельта с высокотемпературным резистивным переходом металл-полупроводник Параллельн. заглавия :Preparation of Thick LaCu1-xNiyO2.5+delta Films Exhibiting a High-Temperature Metal Semiconductor Transition Место публикации : Неорганические материалы. - 2002. - Т. 38, N 10. - С. 1242-1247: граф. - ISSN 0002-337X. - ISSN 0002-337X Примечания : Библиогр.: с. 1247 (12 назв.) ББК : 54 Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ Аннотация: Изучены условия формирования толстопленочных покрытий LaCu1-xNixO2.5+дельта на различных подложках. Рассмотрено влияние параметров термообработки, типа подложки и жидкостногоорганического связующего на состав, структуру и свойства наносимого материала. Получены однофазные покрытия на подложках из MgO, ZrO2, BaSO4 и Ni толщиной от 50 до 200 мкм, сохранившие важнейшие свойства массивных образцов состава LaCu1-xNixO2.5+дельта и характеризующиеся резистивным переходом типа металл-полупроводник при температуре приблизительно 500 C Доп.точки доступа: Базуев, Г. В.