Вид документа : Статья из журнала Шифр издания : 54/О-49 Автор(ы) : Окатов С. В., Ивановский А. Л. Заглавие : Моделирование электронных свойств и атомного упорядочения в системе бета-Si3N4-Mg-O Место публикации : Огнеупоры и техническая керамика. - 2002. - N 11. - С. 26-33. - ISSN 0369-7290. - ISSN 0369-7290 Примечания : Библиогр.: с. 33 (16 назв.) ББК : 54 Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): моделирование электронного строения--свойства электронные--электронные свойства--атомное упорядочение--упорядочение атомное--бета-сиалоны--электронная структура--структура электронная--растворы твердые--твердые растворы--легирование--соединения тугоплавкие--тугоплавкие соединения--межатомные связи--связи межатомные--керамические материалы--материалы керамические Аннотация: Зонным методом сильной связи проведено моделирование электронной структуры, межатомных связей, химического состава и атомного упорядочения в твердых растворах Si6-xMgxO2xN8-2x системы бета-Si3N4-Mg-O, а также более сложных по составу твердых растворов (ТР) Si6-xMgxOxN8-2xXx (X = S, Se) и Si6-xMgx/2Mx/2OxN8-x (M = C, Si, Ti, Ge, Zr, Sn, Pb). Показано, что стабилизация твердых растворов Si6-xMgxO2xN8-2x может быть достигнута в присутствии S, Se или Zr. Выполнено исследование эффектов атомного упорядочения, установлено, что в данных ТР атомы Mg и O могут образовывать квазиодномерные структуры (примесные каналы), подобные предсказанными авторами для бета-сиалонов Доп.точки доступа: Ивановский, А. Л.