Вид документа : Статья из журнала Шифр издания : 54/Ю 85 Автор(ы) : Юрьева Э. И., Ивановский А. Л. Заглавие : Электронное строение и химическая связь примеси никеля в кубическом карбиде кремния Параллельн. заглавия :Electronic Structure and Chemical Bonding of Nickel Impurities in Cubic Silicon Carbide Место публикации : Координационная химия. - 2002. - Т. 28, N 12. - С. 943-950: граф., табл. - ISSN 0132-344X. - ISSN 0132-344X Примечания : Библиогр.: с. 949-950 (23 назв.) ББК : 54 Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ Аннотация: Неэмпирическим самосогласованным методом дискретного варьирования изучены электронная структура, магнитные состояния и химическая связь примеси никеля в кубическом карбиде кремния (бета-SiC) в зависимости от положения этой примеси в кристалле. Рассмотрены позиции внедрения (N(i), замещения (Ni(s), а также проведено моделирование более сложных (парных) типов дефектов: Ni(i) - Si-вакансия и Ni(s) - Si(i) Доп.точки доступа: Ивановский, А. Л.