Вид документа : Статья из журнала Шифр издания : 54/М 42 Автор(ы) : Медведева Н. И., Юрьева Э. И., Ивановский А. Л. Заглавие : Электронная структура кубического карбида кремния с 3d-примесями в Si- и C-позициях замещения Параллельн. заглавия :Electronic structure of cubic silicon carbide with 3d-impurities in Si- and C-substitutional sites Место публикации : Физика и техника полупроводников. - 2003. - Т. 37, N 11. - С. 1281-1284: табл., граф. - ISSN 0015-3222. - ISSN 0015-3222 Примечания : Библиогр.: с. 1284 (19 назв.) ББК : 54 Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ Аннотация: Полнопотенциальным методом линейных muffin-tin-орбиталей исследованы особенности электронной структуры и когезионные свойства кубического карбида кремния, легированного примесями переходных 3d-металлов (M = Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni), замещающих узлы C- или Si-подрешетки матрицы. Установлено, что все 3d-примеси локализуются преимущественно в позициях кремния. При замещении Ti- Si примесные уровни попадают в область зоны проводимости SiC, введение остальных 3d-примесей приводит к созданию дополнительных уровней донорного или акцепторного типа в запрещенной зоне карбида кремния. Изучено влияние примеси на параметр решетки 3C-SiC (замещения M- Si) и величины локальных магнитных моментов примесей (замещения M-Si, C) Доп.точки доступа: Юрьева, Э. И.; Ивановский, А. Л.