Вид документа : Статья из журнала Шифр издания : 54/Ш 18 Автор(ы) : Шалаева Е. В., Кузнецов М. В. Заглавие : Рентгеновская фотоэлектронная дифракция на поверхности (110)Nb Параллельн. заглавия :X-ray Photoelectron Diffraction by Nb(110) Surface Место публикации : Физика металлов и металловедение. - 2003. - Т. 96, N 5. - С. 79-86: ил. - ISSN 0015-3230. - ISSN 0015-3230 Примечания : Библиогр.: с. 86 (30 назв.) ББК : 54 Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ Аннотация: Представлены результаты экспериментального и теоретического исследования рентгеновской фотоэлектронной дифракции чистой грани ниобия (110)Nb и эпитаксиальных слоев Nb(Ta)/(110)Nb. Дифракционная 2пи-картина поверхности (110)Nb получена в излучении Nb3d-фотоэлектронов (E кин. ~ 1050 эВ) и обсуждается в рамках моделей однократного (SSC-SW) и многократного (MSC-SW) рассеяния фотоэлектронов. Продемонстрированы ограничения подхода однократного рассеяния при описании угловых РФД-зависимостей грани (110)Nb. Показано, что поверхность (110) ниобия хорошо описывается MSC-SW-моделью шестислойного кластера с ОЦК-структурой, рассчитаны параметры многократного рассеяния, определяющие экспериментальный эффект ослабления интенсивности фотоэмиссии (эффект "дефокусировки") для плотноупакованных направлений [100] и [111]. Осаждение тантала на (110)Nb при T ~ 2300 K приводит к формированию эпитаксиального слоя (110) неупорядоченного ОЦК-твердого раствора Nb(Ta) Доп.точки доступа: Кузнецов, М. В.