Вид документа : Статья из журнала Шифр издания : 54/И 22 Автор(ы) : Ивановская В. В., Зейферт Г., Ивановский А. Л. Заглавие : Электронное строение наноструктур дисульфида титана: монослои, наноленты, нанотрубки Место публикации : Физика и техника полупроводников. - 2005. - Т. 39, N 9. - С. 1093-1100: ил. - ISSN 0015-3222. - ISSN 0015-3222 Примечания : Библиогр.: с. 1099-1100 (34 назв.) ББК : 54 Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): строение электронное--электронное строение--наноструктура--дисульфид титана--монослои--наноленты--нанотрубки--самосогласованный зонный метод--электронная плотность--плотность электронная Аннотация: Предложены атомные модели квазиодномерных (1D) плоских (наноленты) и цилиндрических (нанотрубки) наноструктур 1T- и 2H-фаз TiS2. Самосогласованным зонным методом функционала электронной плотности в схеме сильной связи исследованы особенности электронного строения и факторы устойчивости этих наноструктур в сравнении с двумерной (2D, молекулярный монослой) и трехмерной (3D, кристалл) формами дисульфида титана. Впервые выполнен анализ возможности фазовых переходов (1T-2H) в наноструктурах. Установлено, что октаэдрический тип атомного окружения, присущий устойчивой фазе 1T кристаллического TiS2, в 2D, 1D наноструктурах сохраняется. В отличие от 3D TiS2, все стабильные 2D и 1D наноструктуры являются полупроводниками; определены закономерности изменений зонного спектра наноструктур TiS2 в зависимости от их типа и атомного строения Доп.точки доступа: Зейферт, Г.; Ивановский, А. Л.