Вид документа : Статья из журнала Шифр издания : 54/Р 39 Автор(ы) : Фриккель Д. П., Журавлев Ю. Ф., Кузнецов М. В., Проскуровский Д. И., Губанов В. А. Заглавие : Рентгеноэлектронное исследование влияния поверхностного SiO2 на профиль распределения As+, имплантированного в Si при электронном отжиге Место публикации : Спектроскопические методы анализа поверхности аморфных и жидких металлов: Школа-семинар (Челябинск, 21-26 мая 1990 г.): Тез. докл. - Челябинск, 1990. - С. 15-16 ББК : 54 Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): химия--исследования рентгеноэлектронные--рентгеноэлектронные исследования--as--sio2--поверхности--мышьяк--оксид кремния--электронный отжиг--отжиг электронный Доп.точки доступа: Фриккель, Д. П.; Журавлев, Ю. Ф.; Кузнецов, М. В.; Проскуровский, Д. И.; Губанов, В. А.