Вид документа : Статья из журнала Шифр издания : 54/Y 95 Автор(ы) : Yureva E. I., Ivanovsky A. L., Shveikin G. P. Заглавие : Electronic structure and chemical bond in Si2N2O:C, Ga, Al, Mg Место публикации : Physics and chemistry of novel materials: 4th Bilateral Russian-German Symposium (Febr. 24-March 1, 1999): Progr. and abstr. - Ekaterinburg, 1999. - С. 2.38 ББК : 54 Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): структура электронная--электронная структура--связи химические--химические связи--оксинитриды--материалы огнеупорные--огнеупорные материалы--устойчивость химическая--химическая устойчивость--ga--галлий--al--алюминий--mg--магний--si--кремний Доп.точки доступа: Ivanovsky, A. L.; Ивановский Александр Леонидович; Shveikin, G. P.; Швейкин Геннадий Петрович; Юрьева Эльмира Ибрагимовна |