Вид документа : Статья из журнала Шифр издания : 54/S 46 Автор(ы) : Kellerman D. G., Galakhov V. R., Semenova A. S., Blinovskov Ya. N., Leonidova O. N. Заглавие : Semiconductor-metal transition in defect lithium cobaltite Место публикации : Physics of the Solid State. - 2006. - Vol. 48, № 3. - С. 548-556 Примечания : Библиогр. : с. 555 (36 назв.) ББК : 54 Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): переход полупроводник - металл--кобальтит лития Аннотация: The magnetic susceptibility, electrical conductivity, and x-ray photoelectron and x-ray absorption spectra of defect lithium cobaltites of the general formula Li1−xCoO2 are investigated. It is found that, for lithium cobaltites with x 0.25, the magnetic susceptibility increases abruptly and the conductivity type changes at T~ 150 K. The assumption is made that the semiconductor–metal transition in defect lithium cobaltite is caused by the increase in the diffusion mobility of lithium ions with an increase in the temperature when there is a correlation between spatial distributions of lithium vacancies and “electron” holes Держатели документа: Центральная научная библиотека УрО РАН Доп.точки доступа: Kellerman, D. G.; Келлерман Дина Георгиевна; Galakhov, V. R.; Semenova, A. S.; Blinovskov, Ya. N.; Leonidova, O. N.; Леонидова Ольга Николаевна