Вид документа : Статья из журнала Шифр издания : 54/E 43 Автор(ы) : Ryzhkov M. V., Ivanovskii A. L., Porotnikov A. V., Shchapova Yu. V., Votyakov S. L. Заглавие : Electronic structure of a uranium impurity center in zircon Место публикации : Journal of Structural Chemistry. - 2008. - Vol. 49, № 2. - С. 201-206 Примечания : Bibliogr. : p. 206 (17 ref.) ББК : 54 Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): силикаты--цирконий--уран Аннотация: The electronic structure of a large fragment of the crystal lattice of zircon ZrSiO4 with a uranium impurity atom replacing the zirconium atom was investigated using the completely relativistic discrete variation (DV) cluster method. The results are compared with the data of a similar calculation of the ideal ZrSiO4 crystal. An analysis of the overlap populations and effective charges on the atoms of the matrix and impurity showed that chemical binding of uranium with the environment is covalent, and the electron density redistribution caused by this substitution changes not only the impurity and the nearest environment, but also the atoms of the next coordination spheres Держатели документа: Центральная научная библиотека УрО РАН Доп.точки доступа: Ryzhkov, M. V.; Рыжков Михаил Владимирович; Ivanovskii, A. L.; Ивановский Александр Леонидович; Porotnikov, A. V.; Shchapova, Yu. V.; Votyakov, S. L.