Вид документа : Статья из журнала Шифр издания : 54/E 43 Автор(ы) : Belova O. V., Shabanov V. N., Kasatkin A. P., Kuznetsov O. A., Yablonskii A. N., Kuznetsov M. V., Kuznetsov V. P., Kornaukhov A. V., Andreev B. A., Krasil'nik Z. F. Заглавие : Electrical properties of Si:Er/Si layers grown by sublimation molecular-beam epitaxy Место публикации : Semiconductors. - 2008. - Vol. 42, № 2. - С. 137-141 Примечания : Библиогр. : с. 140 (12 назв.) ББК : 54 Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ Держатели документа: Центральная научная библиотека УрО РАН Доп.точки доступа: Belova, O. V.; Shabanov, V. N.; Kasatkin, A. P.; Kuznetsov, O. A.; Yablonskii, A. N.; Kuznetsov, M. V.; Кузнецов Михаил Владимирович; Kuznetsov, V. P.; Kornaukhov, A. V.; Andreev, B. A.; Krasil'nik, Z. F.