Вид документа : Статья из журнала Шифр издания : 54/О-75 Автор(ы) : Зацепин Д. А., Шеин И. Р., Курмаев Э. З., Черкашенко В. М., Шамин С. Н., Скориков Н. А., Yadav A. D., Dubey S. K. Заглавие : Особенности стационарной имплантации кристаллического кремния молекулярным кислородно-азотным пучком: рентгеновские Si L2,3-эмиссионные спектры Место публикации : Физика твердого тела. - 2008. - Т. 50, № 1. - С. 142-147: граф. - ISSN 0367-3294. - ISSN 0367-3294 Примечания : Библиогр.: с. 147 (26 назв.) ББК : 54 Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): кристаллический кремний--рентгеновские эмиссионные спектры Аннотация: Представлены результаты исследования локальной электронной структуры монокристаллических образцов кремния 111 с проводимостью n-типа методом рентгеновской Si L2,3-эмиссионной спектроскопии. Образцы имплантировались ионизированным молекулярным пучком 16O+2 и 14N+2 (соотношение кислород--азот в молекулярном пучке 1 : 1, энергия имплантации 30 keV, дозы облучения от 2· 1017 до 1.5· 1018 cm-2, термический быстрый отжиг (rapid thermal annealing) образцов в азотной атмосфере после имплантации при 800oC в течение 5 min ) для формирования системы SixOyNz. Сравнение зарегистрированных Si L-спектров со спектрами эталонов позволило установить четкие корреляции между особенностями электронной структуры оксинитрида кремния, сформированного в результате имплантации, и дозами облучения. Показано, что при дозах имплантации 2· 1017 и 1· 1018 cm-2 преимущественно формируется Si3N4, в то время как при дозе 1.5· 1018 cm-2, в основном происходит образование слоев SiO2 в монокристаллическом кремнии. Обсуждаются наиболее вероятные причины и механизмы особенностей такого внедрения 16O+2 и 14N+2 в исследованные образцы. Полученные экспериментальные данные сравниваются с ab initio расчетами зонной структуры, выполненными методом FLAPW Держатели документа: Центральная научная библиотека УрО РАН Доп.точки доступа: Зацепин, Д. А.; Шеин, И. Р.; Курмаев, Э. З.; Черкашенко, В. М.; Шамин, С. Н.; Скориков, Н. А.; Yadav, A. D.; Dubey, S. K.