Вид документа : Статья из журнала Шифр издания : 54/А 92 Автор(ы) : Разникин А.С., Еняшин А.Н., Кузнецова Т.В., Титов А.Н., Кузнецов М.В., Ивановский А.Л. Заглавие : Атомные дефекты поверхности квазидвумерных слоистых дихалькогенидов титана: СТМ-эксперимент и квантово-химическое моделирование Параллельн. заглавия :Atomic defects on the surface of quasi two-dimensional layered titanium dichalcogenides: stm experiment and quantum chemical simulation Место публикации : Журнал структурной химии. - 2010. - Т. 51, № 4. - С. 765-771: рис., граф. - ISSN 00136-7463. - ISSN 00136-7463 Примечания : Библиогр.: с. 771 (13 назв.) ББК : 54 Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ-- КАЧЕСТВЕННЫЙ АНАЛИЗ Аннотация: Методом сканирующей туннельной микроскопии (СТМ) при комнатной температуре исследована атомная структура поверхности слоистого дихалькогенида 1T-TiSe2. В СТМ-изображениях наблюдаются упорядоченные структуры в виде треугольников 6?6?6 из атомов Se, выступающих на 0,3±0,20 A над поверхностью кристалла. На примере изоструктурной и изоэлектронной системы 1T-TiS2 методом DFTB выполнено моделирование влияния на топологию поверхности дисульфида титана серии различных атомных структурных дефектов. Установлено, что хорошее согласие с СТМ-экспериментом показывает модель локальных дефектов упаковки 1T-TiS2, где координация атомов титана меняется с октаэдрической на призматическую. Для этих систем представлены также результаты расчетов электронной структуры и энергии образования дефектов Держатели документа: Центральная научная библиотека УрО РАН Доп.точки доступа: Разникин, А.С.; Еняшин, А.Н.; Кузнецова, Т.В.; Титов, А.Н.; Кузнецов, М.В.; Ивановский, А.Л.