Вид документа : Статья из журнала Шифр издания : 54/K 81 Автор(ы) : Krasil'nikov V. N., Bazuev G. V. Заглавие : Preparation of Thick LaCu1 – xNixO2.5 +delta Films Exhibiting a High-Temperature Metal–Semiconductor Transition Место публикации : Inorganic Materials. - 2002. - Vol. 38, № 10. - С. P. 1048-1052: il. Примечания : Bibliogr. : p. 1052 (12 ref.) ISSN: 0020-1685 ББК : 54 Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): оксиды сложные--пленки толстые--высокотемпературные сверхпроводники--медьсодержащие сверхпроводники Аннотация: The conditions for producing thick LaCu1- xNixO2.5 +delta films on different substrates were optimized. The effects of the heat-treatment conditions, substrate material, and the nature of the liquid organic binder on the composition, structure, and properties of the films were studied. Single-phase coatings obtained on MgO, ZrO2, BaSO4, and Ni substrates 50 to 200 mm in thickness were close in properties to bulk LaCu1-xNixO2.5 +delta and exhibited a metall–semiconductor transition at about 500° Доп.точки доступа: Bazuev, G. V.; Базуев Г. В.; Красильников Владимир Николаевич