Вид документа : Статья из журнала Шифр издания : 54/С 66 Автор(ы) : Федорова Е. А., Маскаева Л. Н., Туленин С. С., Марков В. Ф., Кузнецов М. В., Чуфаров А. Ю. Заглавие : Состав и морфология химически осажденных пленок Cu2Se — Ga2Se3 Место публикации : Конденсированные среды и межфазные границы. - 2012. - Т. 14, № 4. - С. 489-495: ил. Примечания : Библиогр.: с. 495 (20 назв.) ISSN: 1606-867X ББК : 54 Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): тонкие пленки--селенид меди--селенид галлия--осаждение гидрохимическое Аннотация: Расчетом ионных равновесий с использованием термодинамических констант в системе «Ga(NO3)3 — CuCl2 — Na2SeSO3» определены граничные условия образования селенидов меди Cu2Se и галлия Ga2Se3 и их гидроксидов с учетом образования зародышей критического радиуса. Экспериментально показана возможность получения гидрохимическим осаждением тонких пленок GaxCu1−xSeyO2−y на двух типах подложек. Проведены исследования их составов и морфологии Доп.точки доступа: Федорова, Е. А.; Маскаева, Л. Н.; Туленин, С. С.; Марков, В. Ф.; Кузнецов, М. В.; Чуфаров, А. Ю.