Вид документа : Статья из журнала Шифр издания : 54/С 87 Автор(ы) : Марков В. Ф., Туленин С. С., Маскаева Л. Н., Кузнецов М. В. Заглавие : Структура и состав химически осажденных тонких пленок IN2S3 Место публикации : Поверхность: Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2014. - № 7. - С. 42-48 Примечания : Библиогр.: с. 48 (24 назв.) ББК : 54 Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): халькогениды--осаждение гидрохимическое--кристаллиты Аннотация: Методом химического осаждения из водных растворов, содержащих хлорид индия, тиоацетамид, винную кислоту и гидроксиламин солянокислый в области температур 343–368 K получены наноструктурированные пленки кубического сульфида индия(III) толщиной 285–756 нм. В поверхностных слоях пленок обнаружены примеси кислород- и углеродсодержащих соединений, которые отсутствуют в объеме пленок на глубине 12 нм. С повышением температуры синтеза наблюдается существенное изменение морфологии слоев и увеличение размеров кристаллитов от 70 до 150 нм. Отжиг при температуре 573 K приводит к оплавлению агрегатов кристаллитов и вхождению в состав пленок In2S3 от 6 до 10 ат. % кислорода. Доп.точки доступа: Марков, В. Ф.; Туленин, С. С.; Маскаева, Л. Н.; Кузнецов, М. В.