Т 33 Теоретические основы технологии гальванической обработки диэлектриков и полупроводников в ионных расплавах [] / В. В. Малышев [и др.] // Теоретические основы химической технологии. - 2000. - Т. 34, N 4. - 435-448: ил. - Библиогр.: с. 447-448 (28 назв.) . - ISSN 0040-3571 Рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ОБРАБОТКА ГАЛЬВОНИЧЕСКАЯ -- ГАЛЬВОНИЧЕСКАЯ ОБРАБОТКА -- РАСПЛАВЫ ИОННЫЕ -- ИОННЫЕ РАСПЛАВЫ -- ДИЭЛЕКТРИКИ -- ПОЛУПРОВОДНИКИ -- АЛМАЗЫ -- ПРОВОДИМОСТЬ ПОВЕРХНОСТНАЯ -- ПОВЕРХНОСТНАЯ ПРОВОДИМОСТЬ -- ЗЕРНА АЛМАЗОВ -- ИЗУЧЕНИЕ ПОТЕНЦИОМЕТРИЧЕСКОЕ -- ПОТЕНЦИОМЕТРИЧЕСКОЕ ИЗУЧЕНИЕ -- ТЕРМОДИНАМИЧЕСКОЕ ИЗУЧЕНИЕ -- ИЗУЧЕНИЕ ТЕРМОДИНАМИЧЕСКОЕ -- КОРРОЗИОННОЕ ИЗУЧЕНИЕ -- ИЗУЧЕНИЕ КОРРОЗИОННОЕ -- НИТРИД БОРА -- КАРБИД КРЕМНИЯ -- КАРБИД БОРА -- ПОРОШКИ АЛМАЗНЫЕ -- АЛМАЗНЫЕ ПОРОШКИ -- ТЕМПЕРАТУРНЫЕ ЗАВИСИМОСТИ -- ЗАВИСИМОСТИ ТЕМПЕРАТУРНЫЕ -- ВОЛЬТАМПЕРОМЕТРИЯ -- BN -- SiC -- B4C -- B -- Si -- W -- Mo -- БОР -- КРЕМНИЙ -- ВОЛЬФРАМ -- ХИМИЯ Аннотация: Проведено термодинамическое, коррозионное и потенциометрическое изучение поведения алмаза, кубического нитрида бора, карбида кремния и карбида бора в ионных расплавах. Предположено, что в результате окислительно-восстановительных процессов, протекающих на границе диэлектрик (полупроводник) - ионный расплав, возникают электрохимический потенциал и поверхностная проводимость. Возможность управления электрохимическим потенциалом этих материалов положена в основу их гальванической обработки. Предложены технологии осаждения гальванопокрытий молибдена, вольфрама и их карбидов на зерна алмазов, нитрида бора, карбида кремния и карбида бора |