Вид документа : Статья из журнала Шифр издания : 24/С 30 Автор(ы) : Семенова Г.В., Сидоров А.В., Гончаров Е.Г. Заглавие : Термографическое исследование системы InAs-GeAs-GeAs2 Место публикации : Всерос. конф. по металлоорган. химии, 6-я, посвящ. 100-летию со дня рожд. акад. Г.А.Разуваева, Н.-Новгород, 25-29 сент., 1995: Тез. докл. Т.1. - 1994. - 134-137 Примечания : РЖ Физика. - 1996: 7Б357 ББК : 24 Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): полупроводники, inas, geas, geas2, диаграмма состояния Доп.точки доступа: Сидоров, А.В.; Гончаров, Е.Г.