Вид документа : Статья из журнала Шифр издания : 54/Е 83 Автор(ы) : Есина Н. О., Минченко Л. М., Панкратов А. А. Заглавие : Эпитаксиальный рост рения на собственных и чужеродных подложках Место публикации : Электрохимия. - 2008. - Т. 44, № 6. - С. 738-744: фото. - ISSN 0424-8570. - ISSN 0424-8570 Примечания : Библиогр.: с. 744 (10 назв.) ББК : 54 Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): электроосаждение--расплав--рений--вольфрам--структура--эпитаксия--монокристалл Аннотация: Изучен эпитаксиальный рост рения, электроосажденного из хлоридного расплава CsCl-Cs2ReCl6 на монокристаллические подложки из рения с ориентациями (1010), (1120), (0001) и вольфрама с ориентациями (110),(100), (112), (111). Найдены оптимальные условия эпитаксиального роста на монокристалле рения с ориентациями (0001) и (1120). Показана принципиальная возможность гетероэпитаксиального роста рения на монокристаллических подложках из вольфрама с ориентациями (111) и (100) при определенных условиях электроосаждения из расплава. Эпитаксиальный рост рения зависит как от условий электролиза , так иот ориентации подложки. Исследована морфология поверхности осадков рения. Измерена микротвердость монокристаллических и поликристаллических слоев рения с ориентацией (0001) Держатели документа: Центральная научная библиотека УрО РАН Доп.точки доступа: Минченко, Л. М.; Институт высокотемпературной электрохимии УрО РАН; Панкратов, А. А.