Вид документа : Статья из журнала Шифр издания : 54/П 53 Автор(ы) : Исаков А. В., Аписаров А. П., Чемезов О. В. Заглавие : Получение кремния электролизом галогенидных и оксидно-галогенидных расплавов Место публикации : Цветные металлы. - 2013. - № 12. - С. 58-61. - ISSN 0372-2929. - ISSN 0372-2929 Примечания : Библиогр.: с. 61 (10 назв. ) ББК : 54 Предметные рубрики: ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): кремний--расплавленные соли--размер зерен--структура--покрытие--электролиз Аннотация: Исследовано электролитическое осаждение кремния из расплавов KF – KCl – K 2SiF 6 и KF – KCl – K 2SiF 6 – SiO 2. Реализован процесс получения кремния электролизом в лабораторном масштабе с высоким катодным выходом по току (до 93 %). Состав и структура полученных осадков изучены при помощи сканирующей электронной микроскопии, рентгенофазового и рентгеноструктурного анализов. Представлены результаты электролиза расплавов KF – KCl – K 2SiF 6 и KF – KCl – K 2SiF 6 – SiO 2. Сплошные слои и нанонити кремния были получены электролизом галогенидных и оксидно-галогенидных расплавов. Анализ данных электронной микроскопии и рентгенофазового анализа позволил установить влияние кислорода на структуру катодного кремния. Установлено, что добавка диоксида кремния в расплав KF – KCl – K 2SiF 6 приводит к уменьшению среднего размера зерен. Исследование выполнено при финансовой поддержке проекта президиума РАН 2012–2014 гг. «Разработка электролитического метода получения солнечного кремния из расплавов солей и создание новых материалов на его основе» (Проект № 12-П-3-1039). Доп.точки доступа: Исаков, А. В.; Аписаров, А. П.; Чемезов, О. В.; Институт высокотемпературной электрохимии УрО РАН