С 24 Светоиздучаюшие гетероструктуры AlGaN/InGaN/GaN с множественными квантовыми ямами / А. В. Войцеховский [и др.] // Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 5. - С. 16-23 : рис. - Библиогр. : с. 23 (42 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ЯМЫ КВАНТОВЫЕ МНОЖЕСТВЕННЫЕ -- ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ -- ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ СВЕТОИЗЛУЧАЮЩИЕ -- НИТРИДЫ III ГРУППЫ Аннотация: Рассмотрены физические свойства нитридов III группы, а также светоизлучающих структур видимого и ультрафиолетового диапазона на их основе. Описываются конструкция и характеристики зарубежных и отечественных светодиодов на основе гетероструктур AlGaN/InGaN/GaN. Проведен обзор современных работ, посвященных повышению квантового выхода светодиодов видимого диапазона |