В 58 Влияние дислокаций на внутреннюю квантовую эффективность светоизлучаюших структур на основе квантовых ям InGaN/GaN / А. В. Войцеховский [и др.] // Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 8. - С. 27-35 : рис. - Библиогр. : с. 35 (15 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ЭФФЕКТИВНОСТЬ КВАНТОВАЯ ВНУТРЕННЯЯ -- ЯМЫ КВАНТОВЫЕ -- СТРУКТУРЫ СВЕТОИЗЛУЧАЮЩИЕ -- ДИСЛОКАЦИИ Аннотация: Проанализированы способы определения внутренней квантовой эффективности светоизлучающих структур на основе квантовых ям InGaN/GaN. Рассмотрены рекомбинационные свойства структур на основе квантовых ям InGaN/GaN, а также влияние дислокаций на внутреннюю квантовую эффективность таких светоизлучающих структур |