В 35 Вернер, В. Д. Принципы конструирования биполярных СВЧ структур с предельно узкими эмиттерными областями / В. Д. Вернер, Н. М. Луканов, А. Н. Сауров // Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 12. - С. 13-16 : рис. - Библиогр. : с. 16 (15 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ОСОБЕННОСТИ КОНСТРУКТИВНЫЕ И ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ -- СВЧ САМОСОВМЕЩЕННЫЕ И ПОЛНОСТЬЮ САМОСОВМЕЩЕННЫЕ ТРАНЗИСТОРНЫЕ СТРУКТУРЫ -- РЕЛЬЕФ ОПОРНЫЙ САМОФОРМИРОВАНИЯ ДЛЯ ВСЕЙ СТРУКТУРЫ -- КРЕМНИЙ -- ИС РАДИОЧАСТОТНЫЕ С РАБОЧЕЙ ЧАСТОТОЙ 10-160 ггЦ, Аннотация: Приведены конструктивные и технологические особенности формирования биполярных СВЧ самосовмещенных и полностью самосовмещенных транзисторных структур на кремнии. Эти структуры с предельно узкими эмиттерными областями предназначены для создания монолитных малошумящих широкополосных усилителей и радиочастотных ИС с рабочей частотой 10...160 ГГц. Разработан новый метод осаждения (или селективного наращивания) и анизотропного травления различных слоев с использованием исходной одной (вертикальной или наклонной) плоскости, задающей опорный рельеф самоформирования для всей структуры |