Инвентарный номер: нет.
   
   Ф 81


   
    Фотоэлектрические свойства полиимидов на основе N,N',N'',N'''-замещенного парафенилендиамина и диангидридов ароматических тетракарбоновых кислот и их композитов с нанокристаллическим кремнием / Б. М. Румянцева, Der-Jang Liaw, Ying-Chi Huang, В. И. Берендяев, С. Г. Дорофеев, Н. Н. Кононов, В. П. Зубов, А. А. Ольхов, Г. В. Фетисов, А. А. Ищенко // Нанотехника. - 2012. - № 1. - С. 35-41 : рис., табл. - Библиогр.: с. 41 (14 назв.) . - ISSN 1816-4498
УДК
ББК 623.7
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ
Кл.слова (ненормированные):
НАНОКОМПОЗИТЫ ПОЛИМЕРНЫЕ -- НАНОКРЕМНИЙ -- КАТИОН-РАДИКАЛЫ -- АНИОН-РАДИКАЛЫ -- ВЫХОД ФОТОГЕНЕРАЦИИ КВАНТОВЫЙ -- МЕТОД ЭЛЕКТРОФОТОГРАФИЧЕСКИЙ
Аннотация: Электрофотографическим методом исследованы фотоэлектрические характеристики пленок вновь синтезированных полиимидов (ПИ) на основе N,N',N'',N'''-замещенного парафенилендиамина и диангидридов ароматических тетракарбоновых кислот, а также их композитов с нанокристаллическим кремнием (nc-Si). Обнаружена фотоэлектрическая чувствительность (ФЭЧ) пленок исследованных ПИ как в УФ, так и в видимой областях спектра. Показано, что наблюдаемая ФЭЧ обусловлена ЭДА взаимодействием с переносом заряда между донорными и акцепторными фрагментами цепей ПИ, т.е. электронных Д-А комплексов с переносом заряда (КПЗ), а механизмом фотогенерации является термополевая диссоциация ион-радикальных пар, кинетически связанных с возбужденным КПЗ. Вторым механизмом фотогенерации является фотостимулирование долгоживущих стабилизированных катион-радикалов донорных фрагментов ПИ, представляющих собой дырки (основные носители), захваченные глубокими центрами (фотостимулированные токи). Для ПИ, содержащих nc-Si, наблюдается резкое увеличение эффективного квантового выхода фотогенерации при низких значениях напряженности поля (E < 10 5 В/см), что возможно объяснить уменьшением эффективности сбора носителей заряда, обусловленной уменьшением длины миграции дырок. Уменьшение длины миграции носителей заряда при добавлении nc-Si свидетельствует о том, что наночастицы являются центрами захвата дырок в композитном материале. Частицы nc-Si проявляют электроно-донорные свойства и, являясь более эффективными центрами захвата дырок, способствуют стабилизации и накоплению катион-радикалов