Ф 79 Формирование наноструктур Ag/Ag 2S для элементов резистивной памяти на поверхности SiO 2 и CU/C / О. В. Пятилова, А. В. Сыса, А. Н. Белов, А. А. Раскин // Нанотехника. - 2012. - № 3. - С. 60-62 : рис. - Библиогр.: с. 62 (8 назв.) . - ISSN 1816-4498
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): НАНОСТРУКТУРЫ -- СУЛЬФИДИЗАЦИЯ -- СТРУКТУРЫ AG/AG 2S -- ДИАМЕТР КЛАСТЕРА -- ФОРМИРОВАНИЕ НАНОСТРУКТУР AG/aG 2S -- ЭЛЕМЕНТЫ Аннотация: В целях создания элементов для ячеек резистивной памяти на поверхности SiO 2 и Cu/C были сформированы структуры Ag/Ag 2S, обладающие свойствами резистивного переключения. Установлено, что образование слоя сульфида серебра может происходить при комнатной температуре и напрямую зависит от диаметра кластера. Определено оптимальное время сульфидизации для кластера серебра диаметром 12 нм. Выявлена корреляция между состоянием поверхности образца и временем создания структуры Ag/Ag 2S |