Э 94 Эффект резистивного переключения в оксидных пленках HfxAl 1 - xOy с переменным составом, выращенных методом атомно-слоевого осаждения / А. С. Батурин, К. В. Булах, И. П. Григал, К. В. Егоров, А. В. Заблоцкий, А. М. Маркеев, Ю. Ю. Лебединский, Е. С. Горнев, О. М. Орлов, А. А. Чуприк // Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 6. - С. 13-18 : рис. - Библиогр.: с. 18 (13 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): МЕТОД АТОМНО-СЛОЕВОГО ОСАЖДЕНИЯ -- ЭФФЕКТ РЕЗИСТИВНОГО ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ -- ПЛЕНКИ ОКСИДНЫЕ -- ПЛЕНКИ ТОНКИЕ -- МЕТОДИКА РЕНТГЕНО-ФОТОЭЛЕКТРОННОЙ СПЕКТРОСКОПИИ Аннотация: В качестве функционального диэлектрического слоя ячейки резистивной памяти ReRAMразработаны и выращены методом атомно-слоевого осаждения тонкие пленки трехкомпонентного оксида Hf xAl 1- xlO y с переменным (по глубине) содержанием Al. Выполнено неразрушающее профилирование оксидной пленки по глубине с использованием методики рентгено-фотоэлектронной спектроскопии с угловым разрешением. В структурах металл—диэлектрик—металл TiN/Hf xAl 1- xO y/Pt и Pt/Hf xAl 1- xO y/TiN исследован эффект резистивного переключения |