Т 46 Тихонов , Р. Д. Латеральные и планарные биполярные магнитотранзисторы / Р. Д. Тихонов > // Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 6 . - С. 31-36 : рис., табл. - Библиогр. : с. 36 (20 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): МАГНИТОТРАНЗИСТОР БИПОЛЯРНЫЙ -- ЛИНИИ ТОКА -- ЭФФЕКТ ГАЛЬВАНОМАГНИТНЫЙ Аннотация: Рассмотрены механизмы формирования чувствительности двухколлекторных латерального и планарного биполярных магнитотранзисторов на основе изменения в магнитном поле линий тока инжектированных носителей заряда. Анализ распределения тока в структурах приборов дает перечень механизмов чувствительности и рекомендации по ее повышению за счет выбора структуры биполярного магнитотранзистора |