В 58 Влияние облучения на характеристики фотодетекторов из HgCdTe / А. В. Войцеховский, А. П. Коханенко [и др.] // Нано- и микросистемная техника . - 2010. - № 9. - С. 48-52 : рис., табл. - Библиогр. : с. 52 (27 назв.) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Кл.слова (ненормированные): ФОТОДЕТЕКТОР -- ДЕФЕКТЫ РАДИАЦИОННЫЕ -- ТЕЛЛУРИД КАДМИЯ-РТУТИ Аннотация: Приведен обзор имеющихся данных по влиянию облучения на характеристики фотодетекторов из HgCdTe. Рассмотрено влияние облучения ?-квантами и электронами. Показано, что фотоприемники с пассивацией CdTe имеют высокую радиационную стойкость |