Вид документа : Статья из журнала Шифр издания : 620.3/В 93 Автор(ы) : Высикайло Ф. И., Тивков В. С. Заглавие : Открытие физических принципов упрочнения материалов слоями объемного заряда Место публикации : Нанотехника. - 2010. - № 2. - С. 27-34: рис. - ISSN 1816-4498. - ISSN 1816-4498 Примечания : Библиогр. : с. 34 (15 назв.) УДК : 620.3 ББК : 623.7 Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): слои обьемного заряда--нанотрубки--упрочнения материалов Аннотация: Впервые обсуждается возможность упрочнения композитных материалов формированием на их поверхности слоев объемного заряда. В качестве ловушек для свободных электронов, формирующих отрицательно заряженный слой объемного заряда на поверхности упрочняемого материала, можно использовать фуллерены, нанотрубки и иные наноструктуры с большим сродством к электрону. Эти наноструктуры с большим сродством к электрону (модификаторы) присоединяют к себе свободные электроны и тем заряжают положительным зарядом модифицируемый материал. Как показывают аналитические расчеты, модификация прочностных характеристик композитных материалов слоями объемного заряда возможна в десятки раз! Проведены аналитические расчеты резонансных объемных процентных концентраций модификатора, при известных характерных размерах нанокристалла и самого модификатора. Согласно аналитическим расчетам можно надеяться на упрочнение молекулами Cgg до 104 ГПа кристаллов меди и других материалов со свободными электронами Держатели документа: Центральная научная библиотека УрО РАН Доп.точки доступа: Тивков, В. С.