Вид документа : Статья из журнала Шифр издания : 620.3/Б 73 Автор(ы) : Богданов С. А., Захаров А. Г., Лытюк А. А. Заглавие : Моделирование распределения потенциала в барьерах шоттки с учетом краевых эффектов Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 5. - С. 12-15: рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586 Примечания : Библиогр. : с. 15 (7 назв.) УДК : 620.3 ББК : 623.7 Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Аннотация: Разработана методика определения электростатического потенциала в полупроводниковом материале контакта металл-полупроводник с барьером Шоттки, учитывающая краевые эффекты, а также неоднородное пространственное распределение электрически активных примесей в полупроводнике. Методика позволяет прогнозировать наиболее вероятный механизм переноса носителей заряда в контакте металл-полупроводник с учетом его топологии, а также выполнить дальнейшее моделирование его вольт-амперной характеристики Держатели документа: Центральная научная библиотека УрО РАН Доп.точки доступа: Захаров, А. Г.; Лытюк, А. А.