Вид документа : Статья из журнала Шифр издания : 620.3/С 24 Автор(ы) : Войцеховский А. В., Несмелов С. Н., Кульчицкий Н. А., Мельников А. А. Заглавие : Светоиздучаюшие гетероструктуры AlGaN/InGaN/GaN с множественными квантовыми ямами Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 5. - С. 16-23: рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586 Примечания : Библиогр. : с. 23 (42 назв.) УДК : 620.3 ББК : 623.7 Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Аннотация: Рассмотрены физические свойства нитридов III группы, а также светоизлучающих структур видимого и ультрафиолетового диапазона на их основе. Описываются конструкция и характеристики зарубежных и отечественных светодиодов на основе гетероструктур AlGaN/InGaN/GaN. Проведен обзор современных работ, посвященных повышению квантового выхода светодиодов видимого диапазона Держатели документа: Центральная научная библиотека УрО РАН Доп.точки доступа: Войцеховский, А. В.; Несмелов, С. Н.; Кульчицкий, Н. А.; Мельников, А. А.