Вид документа : Статья из журнала Шифр издания : 620.3/В 58 Автор(ы) : Войцеховский А. В., Несмелов С. Н., Кульчицкий Н. А., Мельников А. А. Заглавие : Влияние дислокаций на внутреннюю квантовую эффективность светоизлучаюших структур на основе квантовых ям InGaN/GaN Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 8. - С. 27-35: рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586 Примечания : Библиогр. : с. 35 (15 назв.) УДК : 620.3 ББК : 623.7 Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Аннотация: Проанализированы способы определения внутренней квантовой эффективности светоизлучающих структур на основе квантовых ям InGaN/GaN. Рассмотрены рекомбинационные свойства структур на основе квантовых ям InGaN/GaN, а также влияние дислокаций на внутреннюю квантовую эффективность таких светоизлучающих структур Держатели документа: Центральная научная библиотека УрО РАН Доп.точки доступа: Войцеховский, А. В.; Несмелов, С. Н.; Кульчицкий, Н. А.; Мельников, А. А.