Вид документа : Статья из журнала Шифр издания : 620.3/А 16 Автор(ы) : Абрамов И. И., Коломейцева Н. В. Заглавие : Моделирование резонансно-туннельного диода на основе Si/SiGe Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 11. - С. 16-18: рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586 Примечания : Библиогр. : с. 18 (13 назв.) УДК : 620.3 ББК : 623.7 Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Аннотация: Показано, что с помощью разработанной комбинированной двухзонной модели резонансно-туннельных диодов могут быть получены удовлетворительные результаты согласования расчетов вольт-амперной характеристики с экспериментальными данными для структуры на основе Si/SiGe Держатели документа: Центральная научная библиотека УрО РАН Доп.точки доступа: Коломейцева, Н. В.