Вид документа : Статья из журнала Шифр издания : 620.3/В 35 Автор(ы) : Вернер В. Д., Луканов Н. М., Сауров А. Н. Заглавие : Принципы конструирования биполярных СВЧ структур с предельно узкими эмиттерными областями Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2011. - № 12. - С. 13-16: рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586 Примечания : Библиогр. : с. 16 (15 назв.) УДК : 620.3 ББК : 623.7 Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Аннотация: Приведены конструктивные и технологические особенности формирования биполярных СВЧ самосовмещенных и полностью самосовмещенных транзисторных структур на кремнии. Эти структуры с предельно узкими эмиттерными областями предназначены для создания монолитных малошумящих широкополосных усилителей и радиочастотных ИС с рабочей частотой 10...160 ГГц. Разработан новый метод осаждения (или селективного наращивания) и анизотропного травления различных слоев с использованием исходной одной (вертикальной или наклонной) плоскости, задающей опорный рельеф самоформирования для всей структуры Держатели документа: Центральная научная библиотека УрО РАН Доп.точки доступа: Луканов, Н. М.; Сауров, А. Н.