Вид документа : Статья из журнала Шифр издания : 620.3/П 44 Автор(ы) : Хабибуллин Р. А., Васильевский И. С., Пономарев Д. С., Галиев Г. Б., Кульбачинский В. А. Заглавие : Подвижность электронов в комбинированно-легированных транзисторных наногетероструктурах AlGaAs/GaAs/InGaAs/GaAs/AlGaAs с высокой концентрацией электронов: моделирование и эксперимент Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2011. - С. 21-24: рис., табл. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586 Примечания : Библиогр. : с. 24 (6 назв.) УДК : 620.3 ББК : 623.7 Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Аннотация: Теоретически и экспериментально исследовалась подвижность электронов в гетероструктурах с высокой электронной плотностью в составной квантовой яме AlGaAs/GaAs/InGaAs/GaAs/AlGaAs. Предложен новый тип структуры с двусторонним дельта-легированием кремнием переходных слоев GaAs, расположенных на границах квантовой ямы. При таком легировании одновременно с высокой концентрацией электронов ns = 1,37-1013 см-2 получено наибольшее значение электронной подвижности иН= 1520 см2/В. с при 300 К Держатели документа: Центральная научная библиотека УрО РАН Доп.точки доступа: Хабибуллин, Р. А.; Васильевский, И. С.; Пономарев, Д. С.; Галиев, Г. Б.; Кульбачинский, В. А.