Вид документа : Статья из журнала Шифр издания : 620.3/Э 47 Автор(ы) : Гавриленко В. П., Зайцев С. А., Кузин А. Ю., Новиков Ю. А., Раков А. В., Тодуа П. А. Заглавие : Эллипсометрическая характеризация структур Si-SiO2 Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2012. - № 2. - С. 42-45: рис., табл. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586 Примечания : Библиогр. : с. 45 (5 назв.) УДК : 620.3 ББК : 623.7 Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Аннотация: Рассмотрены диагностические возможности метода эллипсометрии в применении к системе, представляющей собой пленку оксида кремния на кремнии, широко используемой в наноэлектронике. Для конкретных образцов, содержащих пленку оксида кремния на поверхности кремниевой подложки, определены с высокой точностью все основные параметры пленки и подложки: толщина пленки, показатели преломления пленки и подложки, коэффициент поглощения подложки. Экспериментально показано, что с помощью метода эллипсометрии можно контролировать наличие (или отсутствие) дополнительного переходного слоя между пленкой и подложкой Держатели документа: Центральная научная библиотека УрО РАН Доп.точки доступа: Гавриленко, В. П.; Зайцев, С. А.; Кузин, А. Ю.; Новиков, Ю. А.; Раков, А. В.; Тодуа, П. А.