Вид документа : Статья из журнала Шифр издания : 620.3/Ф 81 Автор(ы) : Румянцева Б. М., Der-Jang Liaw, Ying-Chi Huang, Берендяев В. И., Дорофеев С. Г., Кононов Н. Н., Зубов В. П., Ольхов А. А., Фетисов Г. В., Ищенко А. А. Заглавие : Фотоэлектрические свойства полиимидов на основе N,N',N'',N'''-замещенного парафенилендиамина и диангидридов ароматических тетракарбоновых кислот и их композитов с нанокристаллическим кремнием Место публикации : Нанотехника. - 2012. - № 1. - С. 35-41: рис., табл. - ISSN 1816-4498. - ISSN 1816-4498 Примечания : Библиогр.: с. 41 (14 назв.) УДК : 620.3 ББК : 623.7 Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): нанокомпозиты полимерные--нанокремний--катион-радикалы--анион-радикалы--выход фотогенерации квантовый--метод электрофотографический Аннотация: Электрофотографическим методом исследованы фотоэлектрические характеристики пленок вновь синтезированных полиимидов (ПИ) на основе N,N',N'',N'''-замещенного парафенилендиамина и диангидридов ароматических тетракарбоновых кислот, а также их композитов с нанокристаллическим кремнием (nc-Si). Обнаружена фотоэлектрическая чувствительность (ФЭЧ) пленок исследованных ПИ как в УФ, так и в видимой областях спектра. Показано, что наблюдаемая ФЭЧ обусловлена ЭДА взаимодействием с переносом заряда между донорными и акцепторными фрагментами цепей ПИ, т.е. электронных Д-А комплексов с переносом заряда (КПЗ), а механизмом фотогенерации является термополевая диссоциация ион-радикальных пар, кинетически связанных с возбужденным КПЗ. Вторым механизмом фотогенерации является фотостимулирование долгоживущих стабилизированных катион-радикалов донорных фрагментов ПИ, представляющих собой дырки (основные носители), захваченные глубокими центрами (фотостимулированные токи). Для ПИ, содержащих nc-Si, наблюдается резкое увеличение эффективного квантового выхода фотогенерации при низких значениях напряженности поля (E 10 5 В/см), что возможно объяснить уменьшением эффективности сбора носителей заряда, обусловленной уменьшением длины миграции дырок. Уменьшение длины миграции носителей заряда при добавлении nc-Si свидетельствует о том, что наночастицы являются центрами захвата дырок в композитном материале. Частицы nc-Si проявляют электроно-донорные свойства и, являясь более эффективными центрами захвата дырок, способствуют стабилизации и накоплению катион-радикалов Доп.точки доступа: Румянцева, Б. М.; Der-Jang Liaw; Ying-Chi Huang; Берендяев, В. И.; Дорофеев, С. Г.; Кононов, Н. Н.; Зубов, В. П.; Ольхов, А. А.; Фетисов, Г. В.; Ищенко, А. А.