Вид документа : Статья из журнала Шифр издания : 620.3/Ф 94 Автор(ы) : Фоминский В. Ю., Романов Р. И., Зуев В. В., Гнедовец А. Г., Алымов М. И. Заглавие : Функциональные микро- и наноструктурированные слои на основе оксида вольфрама для высокотемпературных детекторов водорода на платформе Pt-оксид металла-SiC Место публикации : Российские нанотехнологии. - 2012. - Т. 7, № 5-6. - С. 59-64: рис. - ISSN 1992-7223. - ISSN 1992-7223 Примечания : Библиогр.: с. 64 (11 назв.) УДК : 620.3 ББК : 623.7 Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): характеристики вольтамперные--слои наноструктурированные--оксид вольфрама--микроскопия сканирующая атомносиловая--пленки металлооксидные--свойства газосенсорные--токопрохождение Аннотация: Исследованы особенности формирования структуры и химического состава тонких пленок оксида вольфрама при варьировании условий импульсного лазерного осаждения на подложки из монокристаллического карбида кремния и последующего отжига. Для получения легированных пленок на основе оксида вольфрама при осаждении лазерного факела из вольфрамовой мишени проводилось дополнительное осаждение атомов Pt, Ti, Ta. В ряде случаев после формирования оксидного слоя наносилась тонкая пленка каталитически активного металла - платины. Структурное состояние полученных пленок исследовалось методами рентгеновской дифракции, электронной и атомносиловой сканирующей микроскопии, спектроскопии комбинационного рассеяния. Газосенсорные свойства структур Pt-оксид-SiC исследовались путем измерения вольт-амперных характеристик при 300 °C на воздухе и в смеси воздуха с водородом (2 об. %). Установлено, что полученные металлооксидные пленки существенно различались морфологией и структурой на микро- и наноуровнях. Это оказывало существенное влияние на величину отклика на водород и на механизмы, определяющие газосенсорные свойства: токопрохождение в оксиде и величину потенциальных барьеров на границах раздела тонкопленочной структуры Доп.точки доступа: Фоминский, В. Ю.; Романов, Р. И.; Зуев, В. В.; Гнедовец, А. Г.; Алымов, М. И.