Вид документа : Статья из журнала Шифр издания : 620.3/Ф 79 Автор(ы) : Пятилова О. В., Сыса А. В., Белов А. Н., Раскин А. А. Заглавие : Формирование наноструктур Ag/Ag 2S для элементов резистивной памяти на поверхности SiO 2 и CU/C Место публикации : Нанотехника. - 2012. - № 3. - С. 60-62: рис. - ISSN 1816-4498. - ISSN 1816-4498 Примечания : Библиогр.: с. 62 (8 назв.) УДК : 620.3 ББК : 623.7 Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): наноструктуры--сульфидизация--структуры ag/ag 2s--диаметр кластера--формирование наноструктур ag/ag 2s --элементы Аннотация: В целях создания элементов для ячеек резистивной памяти на поверхности SiO 2 и Cu/C были сформированы структуры Ag/Ag 2S, обладающие свойствами резистивного переключения. Установлено, что образование слоя сульфида серебра может происходить при комнатной температуре и напрямую зависит от диаметра кластера. Определено оптимальное время сульфидизации для кластера серебра диаметром 12 нм. Выявлена корреляция между состоянием поверхности образца и временем создания структуры Ag/Ag 2S Доп.точки доступа: Пятилова, О. В.; Сыса, А. В.; Белов, А. Н.; Раскин, А. А.