Вид документа : Статья из журнала Шифр издания : 620.3/П 56 Автор(ы) : Пономарев Д. С. Заглавие : Разработка наногетероструктур InAlAs/InGaAS/InAlAs на подложках фосфида индия Место публикации : Нано- и микросистемная техника . - 2013. - № 3. - С. 14-17: рис. - ISSN 1813-8586. - ISSN 1813-8586 Примечания : Библиогр.: с. 17 (12 назв.) УДК : 620.3 ББК : 623.7 Предметные рубрики: ТЕХНИКА. ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): наногетероструктуры--транзистор полевой с затвором шоттки--эпитаксия моле-кулярно-лучевая--а3в5--диаграммы наногетероструктур Аннотация: Теоретически и экспериментально изучены зонные диаграммы наногетероструктур InAlAs/InGaAs/InP с однородной и составной квантовой ямой (КЯ). Разработан полевой транзистор с частотой усиления по току 110 ГГц